[导读]MP6919智能整流器将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对它的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
MP6919智能整流器将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对它的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
一、MP6919智能整流器概述
整流器是把交流电转换成直流电的装置，可用于供电装置及侦测无线电信号等。整流器可以由真空管，引燃管，固态矽半导体二极管，汞弧等制成。相反，一套把直流电转换成交流电的装置，则称为“逆变器”。整流器是一个整流装置，简单的说就是将交流(AC)转化为直流(DC)的装置。它有两个主要功能：第一，将交流电(AC)变成直流电(DC)，经滤波后供给负载，或者供给逆变器;第二，给蓄电池提供充电电压。因此，它同时又起到一个充电器的作用。下面，我们来看一款智能整流器产品。
MP6919 是一款用于反激变换器的快速关断智能整流器，其内部集成了 100V MOSFET。可提供比二极管整流器更高的效率和功率密度。它可将内部开关管的正向电压压降调节至 40mV(1)，并在漏源电压反向之前，将开关管关断。
此器件可以自主生成电源电压，无需辅助绕组，因此非常适用于低输出电压要求的充电器应用或其他具有高端设置的适配器应用。内部振铃检测电路可以防止 MP6919 在断续导通模式(DCM)式或准谐振工作期间发生误导通。
二、MP6919智能整流器详述
通过上面的介绍，想必大家对MP6919智能整流器大致内容已有所了解。下面，我们来详细看下MP6919智能整流器的一些特点。
1.VDD 生成
SENSE 是线性稳压器的输入，其输出为 VDD。 VDD 为 MP6919 供电，并在 VDD_REG(约
6.7V)。 当 SENSE 低于 4.7V 时，来自 SENSE 的 40mA 电流源为 VDD 充电。 当 SENSE 高于 4.7V 时，线性稳压器的最大充电电流被限制在 IVDD，以在 VDD 为外部电容器充电。
2.启动和欠压锁定 (UVLO)
当 VDD 升至 4.2V 以上时，MP6919 退出欠压锁定 (UVLO) 并启用。 一旦 VDD 降至 4.0V 以下，MP6919 进入睡眠模式，VGS 保持低电平。
3.开启阶段
当 VDS 降至约 2V 时，开启定时器开始计时。如果 VDS 在压摆率检测时间(约 30ns)内从 2V 达到 -80mV 的开启阈值，则 MOSFET 在开启延迟 tDON(大约 20ns)后开启。如果定时器结束后 VDS 超过 -80mV，栅极电压保持关闭。该开启定时器可防止设备因 DCM 和准谐振操作的振铃而错误开启。
4.开启消隐
控制电路包含消隐功能。 当 MOSFET 导通时，控制电路确保导通状态持续一段特定的时间。开启消隐时间为 tB-ON(约 1.2µs)，可防止因振铃而意外关闭。如果 VDS 在导通消隐时间内达到 1.8V，VGS 立即拉低。
5.传导阶段
当 VDS 上升到高于正向压降 -VFWD (-40mV) 时，MP6919 根据开关电流的下降，降低栅极电压电平以增大同步 MOSFET 的导通电阻。
使用这种控制方案，即使通过 MOSFET 的电流相当低，VDS 也会调整为大约 -VFWD。 当同步 MOSFET 关闭时，此功能将驱动器电压保持在非常低的水平。 它还可以提高关断速度，用于 CCM 操作。
6.关断阶段
当 VDS 上升以触发关断阈值(约 -3mV)时，栅极电压在 tDOFF(约 25ns)的短暂关断延迟后拉至零。
7.关闭消隐
当 VDS 达到关断阈值 (-3mV) 时，栅极驱动器 (VGS) 拉至零后，应用关断消隐时间。在此过程中，栅极驱动器信号锁存。 当 VDS 超过 VB-OFF(约 2V)时，关闭消隐被移除。
8.SENSE 上的外部电阻
过压条件会损坏 MP6919，适当的应用设计可保证安全操作，尤其是在高压引脚上。
一种常见的过压情况是当 SR MOSFET 的体二极管由于正向压降超过 SENSE 引脚上的负额定值而导通时。 如果发生这种情况，建议在 SENSE 和 MOSFET 漏极之间放置一个外部电阻器。 推荐电阻约为 100Ω 至 300Ω。
不要使用太大的电阻器，因为它可能会影响 VDD 电源并减慢 VDS 检测的压摆率。 不建议使用大于 300Ω 的电阻。 应根据 VDD 电源和压摆率选择电阻器。
最后，小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读，对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。最后的最后，祝大家有个精彩的一天。
